一、SK海力士
1. 清州M15X（DRAM / HBM關鍵產能） 預計出貨節奏：2026年起逐步貢獻HBM相關供給；2026–2027年成爲AI DRAM增量核心來源之一。
2. 龍仁半導體集羣（Yongin Cluster）
預計出貨節奏：2027首座Fab進入產出階段；2028–2030多Fab連續擴產；2030+全面規模化HBM與先進DRAM基地。
3. 美國印第安納州 HBM 封裝基地 預計出貨節奏：2027–2028封裝產能逐步形成；2028開始規模化支持HBM出貨。
二、三星電子
1. 平澤 P4 / P5 產線羣（核心DRAM與HBM） 預計出貨節奏：2027部分試產與導入客戶驗證；2028規模量產階段。
2. HBM專用產能擴張（Cheonan / Onyang） 預計出貨節奏：2027–2028進入HBM4量產窗口。
三、美光
1. 美國愛達荷州 / 紐約州（先進DRAM基地） 預計出貨節奏：2027中後開始初始晶圓輸出；2028+進入規模化供貨。
2. 新加坡NAND + DRAM混合擴產 預計出貨節奏：2027年HBM/NAND相關擴產開始貢獻產出；2028進入穩定出貨週期。
總結：從擴產情況來看，2027三家擴產開始“逐步兌現”，但結構性缺口仍在。HBM
供應仍然會是瓶頸。2028年開始新一輪HBM與DRAM產能將集中釋放，價格週期可能進入再平衡階段。
