一、SK海力士
1. 清州M15X（DRAM / HBM关键产能） 预计出货节奏：2026年起逐步贡献HBM相关供给；2026–2027年成为AI DRAM增量核心来源之一。
2. 龙仁半导体集群（Yongin Cluster）
预计出货节奏：2027首座Fab进入产出阶段；2028–2030多Fab连续扩产；2030+全面规模化HBM与先进DRAM基地。
3. 美国印第安纳州 HBM 封装基地 预计出货节奏：2027–2028封装产能逐步形成；2028开始规模化支持HBM出货。
二、三星电子
1. 平泽 P4 / P5 产线群（核心DRAM与HBM） 预计出货节奏：2027部分试产与导入客户验证；2028规模量产阶段。
2. HBM专用产能扩张（Cheonan / Onyang） 预计出货节奏：2027–2028进入HBM4量产窗口。
三、美光
1. 美国爱达荷州 / 纽约州（先进DRAM基地） 预计出货节奏：2027中后开始初始晶圆输出；2028+进入规模化供货。
2. 新加坡NAND + DRAM混合扩产 预计出货节奏：2027年HBM/NAND相关扩产开始贡献产出；2028进入稳定出货周期。
总结：从扩产情况来看，2027三家扩产开始“逐步兑现”，但结构性缺口仍在。HBM
供应仍然会是瓶颈。2028年开始新一轮HBM与DRAM产能将集中释放，价格周期可能进入再平衡阶段。
